| 1. | 問. |
CHARM®-2 晶圓上的感測器實際測量些甚麼？ |
| 答. |
CHARM®-2 上的感測器測量以下內容：
- 在閘極氧化層內，充電電勢幅度與極性，
- 沖擊晶圓的電荷通量的幅度與極性以及
- UV 強度。
另外，CHARM®-2 晶圓還可測量晶圓表面的裝置充電源 J-V 特性。
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| 2. | 問. |
僅監視晶圓電勢是否已經足夠？ |
| 答. |
不夠。知道充電電流亦非常重要，因為它們會造成元件損害。
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| 3. | 問. |
在 CHARM®-2 晶圓上使用光阻是否重要？ |
| 答. |
這取決於應用程式而定。對於許多應用程式來說，使用裸 CHARM®-2 晶圓即可，例如：比較不同製程設備、監視設備或者檢查設備是否合格。但是，在您要使用所測量的電勢與電流密度來預測元件損害（與光阻覆蓋的產品晶圓可能出現的情況類似）時，光阻則非常重要。
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| 4. | 問. |
我可以使用自己的產品光阻遮罩在 CHARM®-2 晶圓上覆蓋光阻嗎？ |
| 答. |
可以。使用您的產品遮罩與使用 WCM 提供的 CHARM®-2 相容遮罩測量的電勢會非常相似，但是需要計算數個晶方 (die) 的 J-V 結果「平均值」，才可以獲得有用的 J-V 資訊。
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| 5. | 問. |
對於可能有較多 UV 的高密度電漿來說，CHARM®-2 感測器是否可以區分充電損害與 UV 損害？ |
| 答. |
可以。CHARM®-2 晶圓除了包含不對 UV 作出回應的充電感測器外，還包含不對充電作出回應的 UV 感測器。因此，使用 CHARM®-2 晶圓可以輕易地區分充電效應與 UV 效應。
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| 6. | 問. |
CHARM®-2 是否可以區分瞬時充電事件與恆定充電情況？ |
| 答. |
可以。此資訊可以從 CHARM®-2 J-V 圖推出。
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| 7. | 問. |
您在監視選定製程設備的充電特性漂移方面是否有經驗？ |
| 答. |
有。可以表現使用 CHARM®-2 晶圓監視設備漂移之好處的一個範例以及使用此資訊來改進維護步驟的方法，已經在下面的文獻中說明：
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Wafer Charging Monitors, Inc.