| 1. | 問. |
我可以在電漿蝕刻器中使用 CHARM®-2 而不使其嚴重損害嗎？ |
| 答. |
可以，但是必須使蝕刻週期短一些。CHARM®-2 感測器反應非常迅速，因此您不必為測試蝕刻過程是否有晶圓充電問題而使 CHARM®-2 晶圓暴露於整個蝕刻週期。由於只需要在活動電漿中暴露很短的時間，因此對晶圓造成的損害是微乎其微的。晶圓還可以產生有效的晶圓充電測試結果，並且可以被重複使用很多次。要獲得更詳盡的資訊，請與 WCM 聯絡。
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| 2. | 問. |
哪些電漿蝕刻處理較容易造成晶圓充電問題？ |
| 答. |
多晶矽蝕刻、金屬蝕刻和氧化物蝕刻都會造成充電問題。
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| 3. | 問. |
在電漿蝕刻過程中增加無線電頻（RF）能量是否會使充電問題更嚴重？ |
| 答. |
會，但一般認為在離子蝕刻過程中造成晶圓充電的主要因素是電漿能量不均勻，而非無線電頻能量。
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| 4. | 問. |
電漿蝕刻過程中的高直流偏壓是否會導致充電問題出現？ |
| 答. |
不一定。晶圓充電主要是由晶圓表面與基底間形成的電勢造成的 － 而在蝕刻過程中，大部分所謂的「直流偏壓」只會觸及電漿罩（而非晶圓）。
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| 5. | 問. |
與傳統的乾性光阻去除器相比，是否（下行）流去除器更不容易造成晶圓充電？ |
| 答. |
不可一概而論。根據我們的經驗來看，下行流去除器似乎只產生極少的晶圓充電 － 但在正確的處理條件下，傳統的乾性光阻去除器亦可以運行於安全的水平而不造成晶圓充電。
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| 6. | 問. |
通路 (via) 蝕刻是否較容易導致晶圓充電？ |
| 答. |
在某些情況下的確是這樣。要獲得更詳盡的資訊，請參閱以下參考資料：
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| 7. | 問. |
金屬蝕刻是否較容易導致晶圓充電？ |
| 答. |
在某些情況下的確是這樣。要獲得更詳盡的資訊，請參閱以下參考資料：
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Wafer Charging Monitors, Inc.