Wafer Charging Monitors, Inc.| Wafer Charging Monitors, Inc. |
| 1. | 問. | 哪種類型的離子植入最容易導致晶圓充電問題？ |
| 答. | 用以製造源極/排極介面的高電流植入以及一些中電流植入。 |
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| 2. | 問. | 泛射電子槍或電子簇射是否可以在離子植入時消除晶圓充電？ |
| 答. | 它們可以明顯地減少晶圓充電，但是仍然有可能存在晶圓充電的問題（這取決於設備的結構而定）。 |
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| 3. | 問. | 源極/排極離子植入的「安全」射束電流是甚麼？ |
| 答. | 目前的離子植入器在正確最佳化時，可以在植入器的額定輸出狀態下運作。 |
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| 4. | 問. | 我是否可以使高電流離子植入器在額定輸出狀態下作業，以便將產量提到最高，而又不導致產品晶圓充電損害。 |
| 答. | 可以。但是可能需要最佳化植入參數與充電控制系統設定。 |
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| 5. | 問. | 我是否可以使用 CHARM®-2 晶圓最佳化植入與充電控制系統設定，以便將產量提至最高。 |
| 答. | 可以，這是一種簡單直接的應用。請與 WCM 聯絡以獲得更詳盡的資訊。 |
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| 6. | 問. | 在離子植入時光阻遮罩的極性對晶圓充電是否有影響？ |
| 答. | 有影響，差別會非常明顯，以下的文章包含相關的討論： |
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