WCM   Wafer Charging Monitors, Inc.

常問問題

本頁面第一節的內容是關于晶圓充電的基本 FAQ,它可能導致的問題以及晶圓充電監視器會對您有何幫助。如果您已經熟悉這些問題,可以跳過這一部分,直接閱讀進階 FAQ

基本 FAQ

1.問. 「晶圓充電」是甚麼?
答. 特定晶圓處理過程中在晶圓表面積累的電荷。

2.問. 哪些類型的處理可能會導致晶圓充電?
答. 離子植入、電漿蝕刻、光阻去除、電漿沉積以及噴洗等。

3.問. 晶圓充電會使晶圓損害嗎?
答. 肯定會!而且這種損害可能會減少晶圓良率或者降低可靠性,甚至同時造成這兩種不良影響。

4.問. 甚麼結構會受到充電損害的影響?
答. 薄閘極氧化層、淺射極/基極介面、EEPROM 光電零件以及其他的結構都有可能受其影響。

5.問. 如何知道是否存在晶圓充電的問題?
答. 透過使用 WCM 的「CHARM®-2」晶圓充電監視器與 ChargeMap® 軟體,就可以知道是否存在這種問題。

6.問. 找出造成充電損害的設備之最佳途徑是甚麼?
答. 將一個 CHARM®-2 晶圓用各個製程設備進行處理。如果存在充電的問題,導致這一問題的設備就會被輕易地找出!

7.問. 可否使用 CHARM®-2 晶圓幫助我確定新的製程設備是否合格,以便用於生產?
答. 可以。您只需將一個目前正在使用而且知道其「正常」(即不會導致晶圓充電損害)的設備的 CHARM®-2 結果與新設備的 CHARM®-2 結果進行比較,就可以達到這一目的。如果新設備的 CHARM®-2 結果與目前使用的設備相同或者更好,則用該新設備處理的晶圓亦不會有晶圓充電損害的問題。

8.問. WCM 的「CHARM®-2」晶圓充電監視器如何工作?
答. 它們包含特殊專用的 EEPROM 感測器,可以測量實際晶圓處理步驟中的充電累積電荷。

9.問. 要使用 CHARM®-2 晶圓是否需要改裝目前的設備。
答. 不需要。

10.問. 如何使用監視器晶圓?
答. 將它們放到要檢查的實際晶圓處理步驟中進行處理,然後測量特殊的 EEPROM 感測器,以確定充電電荷。

11.問. 每一項實驗需要使用多少 CHARM®-2 晶圓,才能準確地確定製程設備中的晶圓充電量。
答. 只需要一個。而且由於 CHARM®-2 晶圓可以重複使用多次,因此非常節省成本。

12.問. CHARM®-2 結果可以重複產生多少次?
答. CHARM®-2 結果可以重複產生許多次,因為 CHARM®-2 晶圓在使用前會先校準。

13.問. 這些監視器在預測對產品晶圓的損害方面有多可靠?
答. 在充電結果為「good」時,發生充電損害的可能性很低。
在充電結果為「bad」時,發生充電損害的可能性則很高。
在該結果為「borderline」時,則為安全起見,還需要更多的測試。

14.問. 要測量監視器晶圓,我是否需要編寫自己的測試軟體?
答. 不需要。Hewlett-Packard 與 Kiethley 均提供用於其測試器的 CHARM® 監視器測試軟體。

15.問. 如果我不能使用測試器,是否可以使用 CHARM®-2 晶圓?
答. 可以。WCM 可以為您測試該晶圓,並提供一份報告(包括晶圓平面圖與 J-V 圖),告訴您相關的結果。

16.問. WCM 是否為 CHARM®-2 提供應用程式支援?
答. 提供。WCM 為所有的客戶提供應用程式支援以及資料分析的支援。

17.問. 「晶圓充電監視器」適合哪些人使用?
答. 半導體設備製造商應使用它來檢查新的製程與硬體設計,而製程工程師則應使用它來檢查晶圓製造過程是否合格或提高產能,改進製程。

18.問. CHARM®-2 晶圓有何用途?
答. CHARM®-2 晶圓最常用於鑑定有問題的設備、監視設備穩定性、改良設備和製程、在對設備進行維護之後確定其是否合格以及提高產能。

19.問. 我可以聯絡哪些人以確定這些監視器的有效性?
答. WCM 可以提供一些客戶的名稱與電話,他們都同意提供「非專屬」的證明。

進階 FAQ

請單按以下的任何處理區域,以瞭解與該區域相關的進階 FAQ。

電漿蝕刻 離子植入 電漿沉積
一般問題 形貌與光阻影響

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